收藏本站
NTHD3102C
TYPICAL N?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
8
1.6 V
T J = 25 ° C
8
V GS = 8 V to 1.8 V
6
4
1.4 V
6
4
2
1.2 V
2
25 ° C
0
1.0 V
0
125 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.08
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 4.5 V
0.08
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 2.5 V
0.06
0.06
T J = 125 ° C
0.04
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.04
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
T J = ?55 ° C
0.02
0.02
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0.044
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance vs. Drain Current
1.6
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Temperature
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
I D = 4 A
V GS = 4.5 V
1.4
0.036
V GS = 4.5 V
1.2
1.0
0.028
0.8
0.02
0.6
0
2
4
6
8
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On?Resistance vs. Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTHD3133PFT3G MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET
NTHD4102PT3G MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET
NTHD4401PT3G MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
NTHD4502NT1 MOSFET N-CHAN DUAL 30V CHIPFET
NTHD4508NT1G MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
NTHD4N02FT1G MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTHD4P02FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
NTHD5903T1G MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
相关代理商/技术参数
NTHD3133PF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFET?
NTHD3133PFT1G 功能描述:MOSFET PFET FETKY 20V CHIPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3133PFT3G 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-CHANNEL W/3.7A SCHOTTKY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET
NTHD4102P_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET
NTHD4102PT1 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102PT1G 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102PT3G 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.8A 80M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube